Справочник MOSFET. KU035N06P

 

KU035N06P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KU035N06P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KU035N06P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:406K  kec
ku035n06p.pdfpdf_icon

KU035N06P

KU035N06PSEMICONDUCTORN-ch Trench MOS FETTECHNICAL DATAGeneral Description AThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast OCswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentFavalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter,E DIM MILLIMETERSG_Synchronous Rectification and a load switch in battery powered +A 9.9 0.2B

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: KQB6N25 | SIHG47N60S | 2SK1005 | 9N95 | LP2301BLT1G | INK0112AM1 | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.