Справочник MOSFET. KF11N50F

 

KF11N50F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KF11N50F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: TO220IS
 

 Аналог (замена) для KF11N50F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF11N50F Datasheet (PDF)

 7.1. Size:415K  kec
 kf11n50p-f.pdf pdf_icon

KF11N50F

KF11N50P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF11N50PAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast OCswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentFavalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andE DIM MILLIMETERSG_+switching mode power supplies. A

Другие MOSFET... KU047N08P , KU086N10F , KU086N10P , KU310N10D , KU310N10P , KF10N60F , KF10N60P , KF10N68F , 2SK3568 , KF11N50P , KF12N60F , KF12N60P , KF12N68F , KF13N50F , KF13N50P , KF16N50F , KF1N60D .

History: 2N3460 | IPD60R3K4CE | 2301P | KI5P04DS | SUP85N03-07P | JFAM20N65E | NCEP3065BQU

 

 
Back to Top

 


 
.