KF11N50P - описание и поиск аналогов

 

KF11N50P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KF11N50P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для KF11N50P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF11N50P даташит

 0.1. Size:415K  kec
 kf11n50p-f.pdf pdf_icon

KF11N50P

KF11N50P/F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF11N50P A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast O C switching time, low on resistance, low gate charge and excellent F avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and E DIM MILLIMETERS G _ + switching mode power supplies. A

Другие MOSFET... KU086N10F , KU086N10P , KU310N10D , KU310N10P , KF10N60F , KF10N60P , KF10N68F , KF11N50F , SPP20N60C3 , KF12N60F , KF12N60P , KF12N68F , KF13N50F , KF13N50P , KF16N50F , KF1N60D , KF1N60I .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.