KF16N50F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KF16N50F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 51 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 40.8 nC
Время нарастания (tr): 21 ns
Выходная емкость (Cd): 244 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO220IS
KF16N50F Datasheet (PDF)
kf16n50f.pdf
KF16N50P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF16N50PAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastOCswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentFavalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factorE DIM MILLIMETERSGcorrection and switching mode power supp
kf16n25d.pdf
KF16N25DSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentA KDIM MILLIMETERSavalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converters LC D_A 6.60 + 0.20_B 6.10 + 0.20and switching mode power
kf16n25f.pdf
KF16N25FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description CAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC ConvertersE DIM MILLIMETERS_A 10.16 0.2+and switching mode power supplies._B 15.8
Другие MOSFET... KF10N68F , KF11N50F , KF11N50P , KF12N60F , KF12N60P , KF12N68F , KF13N50F , KF13N50P , 5N60 , KF1N60D , KF1N60I , KF1N60L , KF2N60D , KF2N60F , KF2N60I , KF2N60L , KF2N60P .
