KF3N50DZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KF3N50DZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 45 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm
Тип корпуса: DPAK
KF3N50DZ Datasheet (PDF)
kf3n50dz-ds.pdf
KF3N50DZ/DSSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gateA KDIM MILLIMETERScharge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable forLC D_A 6.60 + 0.20_electronic ballast and s
kf3n50dz-iz.pdf
KF3N50DZ/IZSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF3N50DZThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gateA KDIM MILLIMETERScharge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable forLC D_A 6.60 + 0.20_electronic bal
kf3n50fz-fs.pdf
KF3N50FZ/FSSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description CAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gatecharge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable forE DIM MILLIMETERS_A 10.16 0.2+electronic ballast and switchin
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
