KF3N60I MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KF3N60I
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 45 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.8 Ohm
Тип корпуса: IPAK
KF3N60I Datasheet (PDF)
kf3n60d-i.pdf
KF3N60D/ISEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF3N60DThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentA KDIM MILLIMETERSavalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andLC D_A 6.60 + 0.20switching mode power supp
kf3n60p-f.pdf
KF3N60P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF3N60PAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast OCswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentFavalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andE DIM MILLIMETERSG_switching mode power supplies. A 9.9
Другие MOSFET... KF3N40W , KF3N50DS , KF3N50DZ , KF3N50FS , KF3N50FZ , KF3N50IZ , KF3N60D , KF3N60F , IRFZ46N , KF3N60P , KF3N80F , KF4N20LD , KF4N20LI , KF4N20LW , KF4N65F , KF4N65P , KF4N80F .
History: SRC60R420
