KF3N60I - описание и поиск аналогов

 

KF3N60I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KF3N60I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для KF3N60I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF3N60I даташит

 8.1. Size:1008K  kec
 kf3n60d-i.pdf pdf_icon

KF3N60I

KF3N60D/I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF3N60D This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and L C D _ A 6.60 + 0.20 switching mode power supp

 8.2. Size:94K  kec
 kf3n60p-f.pdf pdf_icon

KF3N60I

KF3N60P/F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF3N60P A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast O C switching time, low on resistance, low gate charge and excellent F avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and E DIM MILLIMETERS G _ switching mode power supplies. A 9.9

Другие MOSFET... KF3N40W , KF3N50DS , KF3N50DZ , KF3N50FS , KF3N50FZ , KF3N50IZ , KF3N60D , KF3N60F , RFP50N06 , KF3N60P , KF3N80F , KF4N20LD , KF4N20LI , KF4N20LW , KF4N65F , KF4N65P , KF4N80F .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.