KF4N20LI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KF4N20LI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 25 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.89 Ohm
Тип корпуса: IPAK
KF4N20LI Datasheet (PDF)
kf4n20ld i.pdf
KF4N20LD/I SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF4N20LDThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentA KDIM MILLIMETERSLavalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and C D_A 6.60 + 0.20_B 6.10 + 0.20switching m
kf4n20lw.pdf
KF4N20LWSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting andswitching mode power supplies.FEATURES VDSS(Min.)= 200V, ID= 1ADrain-Source ON
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
