Справочник MOSFET. KF7N50I

 

KF7N50I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KF7N50I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.83 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для KF7N50I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF7N50I Datasheet (PDF)

 8.1. Size:1219K  kec
 kf7n50p-f.pdf pdf_icon

KF7N50I

KF7N50P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF7N50PThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentDIMavalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andswitching mode power supplies.FEATURES VDSS(Min.)= 500V, ID= 7

 8.2. Size:387K  kec
 kf7n50d-i.pdf pdf_icon

KF7N50I

KF7N50D/ISEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF7N50DThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentA KDIM MILLIMETERSLC D_A 6.60 + 0.20avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and_B 6.10 + 0.20_C 5.

Другие MOSFET... KF5N60P , KF5N65D , KF5N65F , KF6N60D , KF6N60F , KF6N60I , KF7N50D , KF7N50F , IRFZ44N , KF7N50P , KF7N60F , KF7N60P , KF7N65F , KF7N65P , KF7N68F , KF7N80F , KF8N60F .

History: SML100S11 | BRCS4614SC | SSF3637S

 

 
Back to Top

 


 
.