KF7N50I - описание и поиск аналогов

 

KF7N50I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KF7N50I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.83 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для KF7N50I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF7N50I даташит

 8.1. Size:1219K  kec
 kf7n50p-f.pdf pdf_icon

KF7N50I

KF7N50P/F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF7N50P This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent DIM avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and switching mode power supplies. FEATURES VDSS(Min.)= 500V, ID= 7

 8.2. Size:387K  kec
 kf7n50d-i.pdf pdf_icon

KF7N50I

KF7N50D/I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF7N50D This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS L C D _ A 6.60 + 0.20 avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and _ B 6.10 + 0.20 _ C 5.

Другие MOSFET... KF5N60P , KF5N65D , KF5N65F , KF6N60D , KF6N60F , KF6N60I , KF7N50D , KF7N50F , IRFZ44N , KF7N50P , KF7N60F , KF7N60P , KF7N65F , KF7N65P , KF7N68F , KF7N80F , KF8N60F .

History: KF7N60F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.