Справочник MOSFET. KF8N60P

 

KF8N60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KF8N60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для KF8N60P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF8N60P Datasheet (PDF)

 0.1. Size:579K  kec
 kf8n60p-f.pdf pdf_icon

KF8N60P

KF8N60P/FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KF8N60PAThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastOCswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentFavalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factorE DIM MILLIMETERSGcorrection and switching mode power suppli

Другие MOSFET... KF7N50P , KF7N60F , KF7N60P , KF7N65F , KF7N65P , KF7N68F , KF7N80F , KF8N60F , IRFZ44 , KF9N25D , KF9N25F , KF9N25P , KF9N50F , KF9N50P , KF3N80D , KF3N80I , KF60N06P .

History: TSM9409CS | NVMD3P03 | SQ2348ES

 

 
Back to Top

 


 
.