KF8N60P - описание и поиск аналогов

 

KF8N60P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KF8N60P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для KF8N60P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF8N60P даташит

 0.1. Size:579K  kec
 kf8n60p-f.pdf pdf_icon

KF8N60P

KF8N60P/F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF8N60P A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast O C switching time, low on resistance, low gate charge and excellent F avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor E DIM MILLIMETERS G correction and switching mode power suppli

Другие MOSFET... KF7N50P , KF7N60F , KF7N60P , KF7N65F , KF7N65P , KF7N68F , KF7N80F , KF8N60F , IRFZ44 , KF9N25D , KF9N25F , KF9N25P , KF9N50F , KF9N50P , KF3N80D , KF3N80I , KF60N06P .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.