KF3N80D - описание и поиск аналогов

 

KF3N80D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KF3N80D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для KF3N80D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF3N80D даташит

 ..1. Size:388K  kec
 kf3n80d i.pdf pdf_icon

KF3N80D

KF3N80D/I SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KF3N80D This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent A K DIM MILLIMETERS avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and L C D _ A 6.60 + 0.20 switching mode power supplies.

 8.1. Size:382K  kec
 kf3n80f.pdf pdf_icon

KF3N80D

KF3N80F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description C A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor E DIM MILLIMETERS _ A 10.16 0.2 + correction and switching mode power supplie

Другие MOSFET... KF7N80F , KF8N60F , KF8N60P , KF9N25D , KF9N25F , KF9N25P , KF9N50F , KF9N50P , IRFP260N , KF3N80I , KF60N06P , KHB1D0N60D , KHB1D0N70G , KHB1D9N60D , KHB1D9N60I , KHB2D0N60F , KHB2D0N60F2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.