KF60N06P - описание и поиск аналогов

 

KF60N06P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KF60N06P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для KF60N06P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF60N06P даташит

 ..1. Size:81K  kec
 kf60n06p.pdf pdf_icon

KF60N06P

KF60N06P SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description A This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast O C switching time, low on resistance, low gate charge and excellent F avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor E DIM MILLIMETERS G correction , electronic lamp ballasts based on half

Другие MOSFET... KF8N60P , KF9N25D , KF9N25F , KF9N25P , KF9N50F , KF9N50P , KF3N80D , KF3N80I , IRFB4227 , KHB1D0N60D , KHB1D0N70G , KHB1D9N60D , KHB1D9N60I , KHB2D0N60F , KHB2D0N60F2 , KHB2D0N60P , KHB3D0N70F .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.