Справочник MOSFET. KF60N06P

 

KF60N06P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KF60N06P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для KF60N06P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KF60N06P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:81K  kec
 kf60n06p.pdf pdf_icon

KF60N06P

KF60N06PSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description AThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastOCswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentFavalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factorE DIM MILLIMETERSGcorrection , electronic lamp ballasts based on half

Другие MOSFET... KF8N60P , KF9N25D , KF9N25F , KF9N25P , KF9N50F , KF9N50P , KF3N80D , KF3N80I , AON6414A , KHB1D0N60D , KHB1D0N70G , KHB1D9N60D , KHB1D9N60I , KHB2D0N60F , KHB2D0N60F2 , KHB2D0N60P , KHB3D0N70F .

History: DH100P30CD | HAT2142H | TSP65R190S2 | 2SK3367 | BRCS3134ZK | AO6808 | PMN25ENEA

 

 
Back to Top

 


 
.