KHB3D0N90F1 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги KHB3D0N90F1. Основные параметры


   Наименование производителя: KHB3D0N90F1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO220IS
 

 Аналог (замена) для KHB3D0N90F1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KHB3D0N90F1 даташит

 5.1. Size:501K  kec
 khb3d0n90p1 f1 f2.pdf pdf_icon

KHB3D0N90F1

KHB3D0N90P1/F1/F2 SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KHB3D0N90P1 A O This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast C F switching time, low on resistance, low gate charge and excellent E DIM MILLIMETERS G _ avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and A 9.9 + 0.2 B B 15.95 M

 7.1. Size:1209K  kec
 khb3d0n70p f.pdf pdf_icon

KHB3D0N90F1

KHB3D0N70P/F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for switch mode power supplies. FEATURES VDSS= 700V, ID= 3A Drain-Source ON Resistance RDS(ON)

Другие MOSFET... KHB1D0N70G , KHB1D9N60D , KHB1D9N60I , KHB2D0N60F , KHB2D0N60F2 , KHB2D0N60P , KHB3D0N70F , KHB3D0N70P , IRF630 , KHB3D0N90F2 , KHB3D0N90P1 , KHB4D0N65F , KHB4D0N65F2 , KHB4D0N65P , KHB4D0N80F1 , KHB4D0N80F2 , KHB4D0N80P1 .

History: BRCS080N04ZB | APT50M75B2LL

 

 
Back to Top

 


 
.