KHB5D0N50F - аналоги и даташиты транзистора

 

KHB5D0N50F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KHB5D0N50F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.24 Ohm
   Тип корпуса: TO220IS
 

 Аналог (замена) для KHB5D0N50F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KHB5D0N50F Datasheet (PDF)

 5.1. Size:1314K  kec
 khb5d0n50p f f2.pdf pdf_icon

KHB5D0N50F

KHB5D0N50P/F/F2SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KHB5D0N50PThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andswitching mode power supplies.FEATURES VDSS= 500V, ID= 5.0

Другие MOSFET... KHB4D0N65F2 , KHB4D0N65P , KHB4D0N80F1 , KHB4D0N80F2 , KHB4D0N80P1 , KHB4D5N60F , KHB4D5N60F2 , KHB4D5N60P , 2SK3568 , KHB5D0N50F2 , KHB5D0N50P , KHB6D0N40F , KHB6D0N40F2 , KHB6D0N40P , KHB7D0N65F2 , KHB7D0N65P1 , KHB7D0N80F1 .

History: SI4463BDY | AP70SL1K4BK2 | 15N10G-TM3-T | 2SJ257 | 2SK1449 | DMG2302UQ | IPC70N04S5-4R6

 

 
Back to Top

 


 
.