KHB5D0N50F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KHB5D0N50F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 90 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.24 Ohm
Тип корпуса: TO220IS
Аналог (замена) для KHB5D0N50F
KHB5D0N50F Datasheet (PDF)
5.1. Size:1314K kec
khb5d0n50p f f2.pdf
khb5d0n50p f f2.pdf
KHB5D0N50P/F/F2SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KHB5D0N50PThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast andswitching mode power supplies.FEATURES VDSS= 500V, ID= 5.0
Другие MOSFET... KHB4D0N65F2 , KHB4D0N65P , KHB4D0N80F1 , KHB4D0N80F2 , KHB4D0N80P1 , KHB4D5N60F , KHB4D5N60F2 , KHB4D5N60P , 4435 , KHB5D0N50F2 , KHB5D0N50P , KHB6D0N40F , KHB6D0N40F2 , KHB6D0N40P , KHB7D0N65F2 , KHB7D0N65P1 , KHB7D0N80F1 .
