FDR836P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDR836P
Маркировка: .836P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.8 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 32 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 570 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Тип корпуса: SUPERSOT8
FDR836P Datasheet (PDF)
fdr836p.pdf
April 1999FDR836PP-Channel 2.5V Specified MOSFETGeneral Description FeaturesSuperSOTTM -8 P-Channel enhancement mode power -6.1 A, -20 V. RDS(ON) = 0.030 W @ VGS = -4.5 Vfield effect transistors are produced using FairchildsRDS(ON) = 0.040 W @ VGS = -2.5 Vproprietary, high cell density, DMOS technology. Thisvery high density process is especially tailored to mini- H
fdr8308p.pdf
November 1998 FDR8308P Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET General Description FeaturesThe SuperSOT-8 family of P-Channel Logic Level MOSFETs-3.2 A, -20 V. RDS(ON) = 0.050 @ VGS = -4.5 V,have been designed to provide a low profile, small footprint RDS(ON) = 0.070 @ VGS = -2.5 V. alternative to industry standard SO-8 little foot type product.Low gate char
fdr8305n.pdf
November 1999FDR8305NDual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel 2.5V specified MOSFETs are produced 4.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.022 @ VGS = 4.5 Vusing Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench RDS(ON) = 0.028 @ VGS = 2.5 V.process that has been especially tailored to minimize theon-state resis
fdr838p.pdf
March 1999FDR838PP-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFETFeaturesGeneral DescriptionThese P-Channel 2.5V specified MOSFETs are produced -8 A, -20 V. RDS(ON) = 0.017 @ VGS = -4.5 Vusing Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench RDS(ON) = 0.024 @ VGS = -2.5 Vprocess that has been especially tailored to minimize theon-state resistance and yet maintain low g
Другие MOSFET... FDP7030BL , FDP7030L , FDP7045L , FDP8030L , FDR4410 , FDR4420A , FDR8305N , FDR8308P , P55NF06 , FDR838P , FDR8508P , FDR856P , FDR858P , FDS3570 , FDS3580 , FDS4410 , FDS4435 .
