Справочник MOSFET. KHB8D8N25P

 

KHB8D8N25P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KHB8D8N25P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для KHB8D8N25P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KHB8D8N25P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1326K  kec
 khb8d8n25p f f2.pdf pdf_icon

KHB8D8N25P

KHB8D8N25P/F/F2SEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KHB8D8N25PThis planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Convertersand switching mode power supplies.FEATURES VDSS= 250V, ID= 8.8A

Другие MOSFET... KHB7D0N65P1 , KHB7D0N80F1 , KHB7D0N80P1 , KHB7D5N60F1 , KHB7D5N60F2 , KHB7D5N60P1 , KHB8D8N25F , KHB8D8N25F2 , 20N50 , KHB9D0N50F1 , KHB9D0N50F2 , KHB9D0N50P1 , KHB9D0N90F1 , KHB9D0N90N1 , KHB9D0N90NA , KHB9D0N90P1 , KHB9D5N20D .

History: IXFA230N075T2-7 | AOCR36330 | SSF1020A | 7N10G-AA3 | WVM25N40 | RFD3055

 

 
Back to Top

 


 
.