FDR8508P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDR8508P
Маркировка: .8508
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC
trⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
Тип корпуса: SUPERSOT8
FDR8508P Datasheet (PDF)
fdr8508p.pdf
March 1999FDR8508PDual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFETGeneral Description Features -3.0 A, -30 V. RDS(ON) = 0.052 @ VGS = -10VThese P-Channel 2.5V specified MOSFETs are producedusing Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrenchRDS(ON) = 0.086 @ VGS = -4.5V.process that has been especially tailored to minimize the Low gate charge. (8nC typical).on s
fdr858p.pdf
February 1999 FDR858P Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET General Description FeaturesThe SuperSOT-8 family of P-Channel Logic Level-8 A, -30 V. RDS(ON) = 0.019 @ VGS = -10 V,MOSFETs have been designed to provide a low profile,RDS(ON) = 0.028 @ VGS = -4.5 V.small footprint alternative to industry standard SO-8 littlefoot type product. Low gate charge (2
fdr856p.pdf
March 1998FDR856P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesSuperSOTTM-8 P-Channel enhancement mode power field - 6.3 A, -30 V, RDS(ON) =0.025 @ VGS = -10 Veffect transistors are produced using Fairchild's RDS(ON) =0.040 @ VGS = -4.5 V. proprietary, high cell density, DMOS technology. This verySuperSOTTM-8 package:high den
Другие MOSFET... FDP7045L , FDP8030L , FDR4410 , FDR4420A , FDR8305N , FDR8308P , FDR836P , FDR838P , IRFP260N , FDR856P , FDR858P , FDS3570 , FDS3580 , FDS4410 , FDS4435 , FDS4435A , FDS4953 .
History: FDP51N25 | 2SK1482
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918