KMB035N40DC. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KMB035N40DC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для KMB035N40DC
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
KMB035N40DC даташит
kmb035n40dc.pdf
SEMICONDUCTOR KMB035N40DC TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche A K DIM MILLIMETERS characteristics. It is mainly suitable for Back-light Inverter and power L C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 Supply. _ C 5.34 + 0.30 _ D 0.70
kmb035n40db.pdf
SEMICONDUCTOR KMB035N40DB TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche A characteristics. It is mainly suitable for Back-light Inverter and Power K DIM MILLIMETERS L C D _ A 6.60 + 0.20 Supply. _ B 6.10 + 0.20 _ C 5.34 + 0.30 _ D 0.70
kmb035n40da.pdf
SEMICONDUCTOR KMB035N40DA TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche A K DIM MILLIMETERS L characteristics. It is mainly suitable for Back-light Inverter and Power C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 Supply. _ C 5.34 + 0.30 _ D 0.70
kmb030n30d.pdf
SEMICONDUCTOR KMB030N30D TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET General Description Switching regulator and DC-DC Converter applications. It s mainly suitable for power management in PC, portable equipment and battery powered systems. A H DIM MILLIMETERS J C D _ 6.6 0.2 A + _ B 6.1 + 0.2 _ C 5.33 + 0.1 FEATURES _ 1.08 0.2 D + _ E 2.92 + 0.3 B VDSS=30V, ID=30A. _ F 2.28 0.1
Другие MOSFET... KHB9D0N90N1 , KHB9D0N90NA , KHB9D0N90P1 , KHB9D5N20D , KHB9D5N20F2 , KHB9D5N20P , KQ9N50P , KMB012N30QA , AO3407 , KMB054N40DC , KMB054N40IA , KMB6D0DN35QB , KML0D4N20TV , KU024N06P , KU034N08P , KU045N10P , KU048N03D .
History: 2SK321
History: 2SK321
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent




