KU034N08P - описание и поиск аналогов

 

KU034N08P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KU034N08P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для KU034N08P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KU034N08P даташит

 ..1. Size:1028K  kec
 ku034n08p.pdf pdf_icon

KU034N08P

KU034N08P SEMICONDUCTOR N-ch Trench MOS FET TECHNICAL DATA General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter, Synchronous Rectification and a load switch in battery powered applications FEATURES K VDSS= 75V, ID= 170A

Другие MOSFET... KQ9N50P , KMB012N30QA , KMB035N40DC , KMB054N40DC , KMB054N40IA , KMB6D0DN35QB , KML0D4N20TV , KU024N06P , IRFZ24N , KU045N10P , KU048N03D , KU054N03D , KU056N03Q , KU063N03Q , KU068N03D , KU082N03Q , KU2303D .

History: IRF8714G | 2SK580L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.