Справочник MOSFET. KU034N08P

 

KU034N08P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KU034N08P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для KU034N08P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KU034N08P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1028K  kec
 ku034n08p.pdf pdf_icon

KU034N08P

KU034N08PSEMICONDUCTORN-ch Trench MOS FETTECHNICAL DATAGeneral Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter,Synchronous Rectification and a load switch in battery poweredapplicationsFEATURES KVDSS= 75V, ID= 170A

Другие MOSFET... KQ9N50P , KMB012N30QA , KMB035N40DC , KMB054N40DC , KMB054N40IA , KMB6D0DN35QB , KML0D4N20TV , KU024N06P , AON6380 , KU045N10P , KU048N03D , KU054N03D , KU056N03Q , KU063N03Q , KU068N03D , KU082N03Q , KU2303D .

History: SI3403 | WMN10N60C4 | ME04N25-G | WMM08N60C4

 

 
Back to Top

 


 
.