Справочник MOSFET. KU048N03D

 

KU048N03D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KU048N03D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для KU048N03D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KU048N03D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:802K  kec
 ku048n03d.pdf pdf_icon

KU048N03D

SEMICONDUCTOR KU048N03DTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalancheA KDIM MILLIMETERSLcharacteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter.C D_A 6.60 + 0.20_B 6.10 + 0.20_C 5.34 + 0.30_D 0.70 + 0.20_E 2.70 + 0.15

Другие MOSFET... KMB035N40DC , KMB054N40DC , KMB054N40IA , KMB6D0DN35QB , KML0D4N20TV , KU024N06P , KU034N08P , KU045N10P , K2611 , KU054N03D , KU056N03Q , KU063N03Q , KU068N03D , KU082N03Q , KU2303D , KU2303K , KU2303Q .

History: IPI041N12N3G | HCD70R910 | IRF7452QPBF | NTMS10P02R2 | IRFL024ZPBF | AUIRF7343Q | SSS45N20B

 

 
Back to Top

 


 
.