KU048N03D - описание и поиск аналогов

 

KU048N03D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KU048N03D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для KU048N03D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KU048N03D даташит

 ..1. Size:802K  kec
 ku048n03d.pdf pdf_icon

KU048N03D

SEMICONDUCTOR KU048N03D TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche A K DIM MILLIMETERS L characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter. C D _ A 6.60 + 0.20 _ B 6.10 + 0.20 _ C 5.34 + 0.30 _ D 0.70 + 0.20 _ E 2.70 + 0.15

Другие MOSFET... KMB035N40DC , KMB054N40DC , KMB054N40IA , KMB6D0DN35QB , KML0D4N20TV , KU024N06P , KU034N08P , KU045N10P , 8N60 , KU054N03D , KU056N03Q , KU063N03Q , KU068N03D , KU082N03Q , KU2303D , KU2303K , KU2303Q .

History: IRF8714G | 2SK580L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.