Справочник MOSFET. KU063N03Q

 

KU063N03Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KU063N03Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: FLP8
 

 Аналог (замена) для KU063N03Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KU063N03Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:806K  kec
 ku063n03q.pdf pdf_icon

KU063N03Q

SEMICONDUCTOR KU063N03QTECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, lowon resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainlyHsuitable for DC/DC Converter and Battery pack..TD P GLUFEATURES AVDSS=30V, ID=16A.DIM MILLIMETERSDrain to Source On Resista

Другие MOSFET... KMB6D0DN35QB , KML0D4N20TV , KU024N06P , KU034N08P , KU045N10P , KU048N03D , KU054N03D , KU056N03Q , RU6888R , KU068N03D , KU082N03Q , KU2303D , KU2303K , KU2303Q , KU2307D , KU2307K , KU2307Q .

History: WM10N02M | NCEP40P80D

 

 
Back to Top

 


 
.