KU390N10P - описание и поиск аналогов

 

KU390N10P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KU390N10P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для KU390N10P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KU390N10P даташит

 ..1. Size:364K  kec
 ku390n10p.pdf pdf_icon

KU390N10P

KU390N10P SEMICONDUCTOR N-ch Trench MOS FET TECHNICAL DATA General Description TENTATIVE This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter, A O Synchronous Rectification and a load switch in battery powered C applications F E DIM MILLIME

Другие MOSFET... KU2303Q , KU2307D , KU2307K , KU2307Q , KU2310Q , KU2311K , KU2311Q , KU2751K , EMB04N03H , KMC6D5CN20CA , KMA3D7P20SA , KMA5D2N30XA , KMB8D0P30QA , KMD4D5P30XA , KTK951S , KTK921U , KHB011N40F1 .

History: 2SK443

 

 

 

 

↑ Back to Top
.