KU390N10P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KU390N10P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для KU390N10P
KU390N10P Datasheet (PDF)
ku390n10p.pdf

KU390N10PSEMICONDUCTORN-ch Trench MOS FETTECHNICAL DATAGeneral Description TENTATIVEThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter,AOSynchronous Rectification and a load switch in battery poweredCapplicationsFE DIM MILLIME
Другие MOSFET... KU2303Q , KU2307D , KU2307K , KU2307Q , KU2310Q , KU2311K , KU2311Q , KU2751K , AO3407 , KMC6D5CN20CA , KMA3D7P20SA , KMA5D2N30XA , KMB8D0P30QA , KMD4D5P30XA , KTK951S , KTK921U , KHB011N40F1 .
History: SMK1430DI | 2SK2018-01L | 2SK1487 | NDT4N65 | IRF830B | NVD4806N | SMK1430F
History: SMK1430DI | 2SK2018-01L | 2SK1487 | NDT4N65 | IRF830B | NVD4806N | SMK1430F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
Popular searches
a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet