KU390N10P - аналоги и даташиты транзистора

 

KU390N10P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KU390N10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для KU390N10P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KU390N10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  kec
 ku390n10p.pdf pdf_icon

KU390N10P

KU390N10PSEMICONDUCTORN-ch Trench MOS FETTECHNICAL DATAGeneral Description TENTATIVEThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter,AOSynchronous Rectification and a load switch in battery poweredCapplicationsFE DIM MILLIME

Другие MOSFET... KU2303Q , KU2307D , KU2307K , KU2307Q , KU2310Q , KU2311K , KU2311Q , KU2751K , 2SK3918 , KMC6D5CN20CA , KMA3D7P20SA , KMA5D2N30XA , KMB8D0P30QA , KMD4D5P30XA , KTK951S , KTK921U , KHB011N40F1 .

History: TK7A90E | IPS09N03LA

 

 
Back to Top

 


 
.