KMD4D5P30XA - описание и поиск аналогов

 

Аналоги KMD4D5P30XA. Основные параметры


   Наименование производителя: KMD4D5P30XA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1700 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для KMD4D5P30XA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMD4D5P30XA даташит

 ..1. Size:786K  kec
 kmd4d5p30xa.pdf pdf_icon

KMD4D5P30XA

SEMICONDUCTOR KMD4D5P30XA TECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFET General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for cellular phone and netebook computer power management and other battery powered circuits. D H J FEATURES E VDSS=-30V, ID=-4.

Другие MOSFET... KU2311K , KU2311Q , KU2751K , KU390N10P , KMC6D5CN20CA , KMA3D7P20SA , KMA5D2N30XA , KMB8D0P30QA , 60N06 , KTK951S , KTK921U , KHB011N40F1 , KHB011N40F2 , KHB011N40P1 , KHB019N20F1 , KHB019N20F2 , KHB019N20P1 .

 

 
Back to Top

 


 
.