KMD4D5P30XA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KMD4D5P30XA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 1700 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для KMD4D5P30XA
KMD4D5P30XA Datasheet (PDF)
kmd4d5p30xa.pdf

SEMICONDUCTOR KMD4D5P30XATECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalanchecharacteristics. It is mainly suitable for cellular phone and netebookcomputer power management and other battery powered circuits.DHJFEATURES EVDSS=-30V, ID=-4.
Другие MOSFET... KU2311K , KU2311Q , KU2751K , KU390N10P , KMC6D5CN20CA , KMA3D7P20SA , KMA5D2N30XA , KMB8D0P30QA , AO4468 , KTK951S , KTK921U , KHB011N40F1 , KHB011N40F2 , KHB011N40P1 , KHB019N20F1 , KHB019N20F2 , KHB019N20P1 .
History: SI5904DC | STP7NM80 | TK8P60W | CS7N65FA9R | KU2307D | NCE30ND07BS | MTB60A06Q8
History: SI5904DC | STP7NM80 | TK8P60W | CS7N65FA9R | KU2307D | NCE30ND07BS | MTB60A06Q8



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet