KMD4D5P30XA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KMD4D5P30XA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1700 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для KMD4D5P30XA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMD4D5P30XA даташит

 ..1. Size:786K  kec
 kmd4d5p30xa.pdf pdf_icon

KMD4D5P30XA

SEMICONDUCTOR KMD4D5P30XA TECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFET General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for cellular phone and netebook computer power management and other battery powered circuits. D H J FEATURES E VDSS=-30V, ID=-4.

Другие IGBT... KU2311K, KU2311Q, KU2751K, KU390N10P, KMC6D5CN20CA, KMA3D7P20SA, KMA5D2N30XA, KMB8D0P30QA, IRF9640, KTK951S, KTK921U, KHB011N40F1, KHB011N40F2, KHB011N40P1, KHB019N20F1, KHB019N20F2, KHB019N20P1