BSS123LT1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BSS123LT1
Маркировка: SA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.17 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
Тип корпуса: SOT23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
BSS123LT1 Datasheet (PDF)
bss123lt1.pdf

FM120-M WILLASTHRUBSS123LT1FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VN-CHANNEL POWER MOSFETSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123H Low profile surface mounted application in order to optimize board s
bss123lt1rev2x.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BSS123LT1/DTMOS FET TransistorBSS123LT1NChannel3 DRAINMotorola Preferred Device1GATE32 SOURCE1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitDrainSource Voltage VDSS 100 VdcCASE 31808, STYLE 21SOT23 (TO236AB)GateSource Voltage Continuous VGS 20 Vdc Nonrepetitive (tp
bss123lt1-d.pdf

BSS123LT1Preferred DevicePower MOSFET170 mAmps, 100 VoltsN-Channel SOT-23http://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are Available170 mAMPS100 VOLTSRDS(on) = 6 WN-Channel3MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 100 VdcGate-Source Voltage 1- Continuous VGS 20 Vdc- Non-repetitive (tp 50 ms) VGSM 40 VpkDrain Current Adc2-
bss123lt1g bvss123lt1g.pdf

BSS123LT1G,BVSS123LT1GPower MOSFET170 mAmps, 100 VoltsN-Channel SOT-23http://onsemi.comFeatures 170 mAMPS BVSS Prefix for Automotive and Other Applications Requiring100 VOLTSUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101RDS(on) = 6 WQualified and PPAP CapableN-Channel These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant3MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: SIHA12N60E | RU30231R | NTD4960N-1G | IRFI4229
History: SIHA12N60E | RU30231R | NTD4960N-1G | IRFI4229



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435