BSS84LT1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BSS84LT1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для BSS84LT1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BSS84LT1 даташит
bss84lt1.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BSS84LT1/D BSS84LT1 Motorola Preferred Device Low rDS(on) Small-Signal MOSFETs TMOS Single P-Channel P CHANNEL Field Effect Transistors ENHANCEMENT MODE TMOS MOSFET 3 DRAIN 3 1 2 1 CASE 318 08, Style 21 GATE SOT 23 (TO 236AB) 2 SOURCE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) Rating
bss84lt1.pdf
FM120-M WILLAS BSS84LT1 THRU mAmps, 50 Vo ts Power MOSFET 130 BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H Low profile surface mounted application in order to optimi
bss84lt1rev0x.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BSS84LT1/D BSS84LT1 Motorola Preferred Device Low rDS(on) Small-Signal MOSFETs TMOS Single P-Channel P CHANNEL Field Effect Transistors ENHANCEMENT MODE TMOS MOSFET 3 DRAIN 3 1 2 1 CASE 318 08, Style 21 GATE SOT 23 (TO 236AB) 2 SOURCE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) Rating
bvss84l sbss84lt1g.pdf
BSS84L, BVSS84L Power MOSFET Single P-Channel SOT-23 -50 V, 10 W SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space http //onsemi.com AEC Q101 Qualified and PPAP Capable - BVSS84L These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) -50 V 10 W @ 10 V Rating Symbol Value Unit P-Channel Drain-to-Source Voltag
Другие MOSFET... 2N7002WT1 , 2SK3018LT1 , 2SK3018WT1 , 2SK3019TT1 , 2SK3541M3T5 , BSS123LT1 , BSS138LT1 , BSS138WT1 , IRLB4132 , BSS84WT1 , SE2301 , SE2302 , SE2303 , SE2304 , SE2305 , SE2306 , SE2312 .
History: U1898 | JFTJ105 | SE2306
History: U1898 | JFTJ105 | SE2306
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet






