FDS4953. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDS4953

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для FDS4953

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS4953 даташит

 ..1. Size:96K  fairchild semi
fds4953.pdfpdf_icon

FDS4953

May 2002 FDS4953 Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P MOSFET is a rugged gate version of -Channel 5 A, 30 V R = 55 m @ V = 10 V DS(ON) GS Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench R = 95 m @ V = 4.5 V DS(ON) GS process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave d

 9.1. Size:113K  fairchild semi
fds4935a.pdfpdf_icon

FDS4953

March 2002 FDS4935A Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of 7 A, 30 V RDS(ON) = 23 m @ VGS = 10 V Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench RDS(ON) = 35 m @ VGS = 4.5 V process. It has been optimized for power management applications requiring a wide ran

 9.2. Size:158K  fairchild semi
fds4935bz.pdfpdf_icon

FDS4953

September 2006 tm FDS4935BZ Dual 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET has been designed 6.9 A, 30 V. RDS(ON) = 22 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 35 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers, and battery

 9.3. Size:154K  onsemi
fds4935bz.pdfpdf_icon

FDS4953

September 2006 tm FDS4935BZ Dual 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET has been designed 6.9 A, 30 V. RDS(ON) = 22 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 35 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers, and battery

Другие IGBT... FDR8508P, FDR856P, FDR858P, FDS3570, FDS3580, FDS4410, FDS4435, FDS4435A, 8205A, FDS5680, FDS5690, FDS6375, FDS6570A, FDS6575, FDS6576, FDS6612A, FDS6614A