Справочник MOSFET. H01N60SI

 

H01N60SI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H01N60SI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для H01N60SI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H01N60SI Datasheet (PDF)

 7.1. Size:162K  hsmc
 h01n60s.pdf pdf_icon

H01N60SI

Spec. No. : MOS200501 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.01.01 Revised Date : 2010.11.10 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/6 H01N60S Series Pin Assignment H01N60S Series 3-Lead Plastic TO-92 N-Channel Power Field Effect Transistor Package Code: A Pin 1: Gate Pin 2: Drain Pin 3: SourceDescription 3 1 2 This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme

 8.1. Size:58K  hsmc
 h01n60.pdf pdf_icon

H01N60SI

Spec. No. : MOS200502HI-SINCERITYIssued Date : 2005.03.01Revised Date : 2006.08.31MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H01N60 Series Pin AssignmentH01N60 SeriesN-Channel Power Field Effect TransistorTab3-Lead Plastic TO-252Package Code: JPin 1: Gate3Pin 2 & Tab: Drain2Description 1Pin 3: SourceThis high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme topr

Другие MOSFET... SE3415 , SE4812LT1 , SE9435LT1 , SMG2305L , SRK7002LT1 , H01N45A , H01N60I , H01N60SA , 18N50 , H01N60SJ , H02N60E , H02N60F , H02N60I , H02N60J , H02N60SE , H02N60SF , H02N60SI .

 

 
Back to Top

 


 
.