H01N60SI - описание и поиск аналогов

 

H01N60SI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H01N60SI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для H01N60SI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H01N60SI даташит

 7.1. Size:162K  hsmc
 h01n60s.pdf pdf_icon

H01N60SI

Spec. No. MOS200501 HI-SINCERITY Issued Date 2005.01.01 Revised Date 2010.11.10 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/6 H01N60S Series Pin Assignment H01N60S Series 3-Lead Plastic TO-92 N-Channel Power Field Effect Transistor Package Code A Pin 1 Gate Pin 2 Drain Pin 3 Source Description 3 1 2 This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme

 8.1. Size:58K  hsmc
 h01n60.pdf pdf_icon

H01N60SI

Spec. No. MOS200502 HI-SINCERITY Issued Date 2005.03.01 Revised Date 2006.08.31 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 H01N60 Series Pin Assignment H01N60 Series N-Channel Power Field Effect Transistor Tab 3-Lead Plastic TO-252 Package Code J Pin 1 Gate 3 Pin 2 & Tab Drain 2 Description 1 Pin 3 Source This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to pr

Другие MOSFET... SE3415 , SE4812LT1 , SE9435LT1 , SMG2305L , SRK7002LT1 , H01N45A , H01N60I , H01N60SA , BS170 , H01N60SJ , H02N60E , H02N60F , H02N60I , H02N60J , H02N60SE , H02N60SF , H02N60SI .

History: FDMS8025S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.