Справочник MOSFET. H04N60E

 

H04N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H04N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для H04N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H04N60E Datasheet (PDF)

 8.1. Size:123K  hsmc
 h04n60.pdf pdf_icon

H04N60E

Spec. No. : MOS200404 HI-SINCERITY Issued Date : 2004.07.01 Revised Date :2010.10.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/6 H04N60 Series Pin Assignment H04N60 Series Tab3-Lead Plastic TO-263 Package Code: U N-Channel Power Field Effect Transistor (600V, 4A) Pin 1: Gate Pin 2 & Tab: Drain 3 2 Pin 3: Source1Description Tab3-Lead Plastic TO-220ABThis advanced

 9.1. Size:169K  hsmc
 h04n65.pdf pdf_icon

H04N60E

Spec. No. : MOS200802 HI-SINCERITY Issued Date : 2008.07.22 Revised Date :2009.03.23 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/6 H04N65 Series Pin Assignment H04N65 Series Tab3-Lead Plastic TO-220ABN-Channel Power Field Effect Transistor (650V, 4A) Package Code: E Pin 1: Gate Pin 2 & Tab: Drain Pin 3: SourceDescription 3 2 1 This advanced high voltage MOSFET is d

Другие MOSFET... H02N60SE , H02N60SF , H02N60SI , H02N60SJ , H02N65E , H02N65F , H03N60E , H03N60F , IRF2807 , H04N60F , H04N65E , H04N65F , H05N50E , H05N50F , H05N60E , H05N60F , H06N60E .

History: DMG6301UDW | TPC8301 | RJK5026DPE | IRF6619

 

 
Back to Top

 


 
.