Справочник MOSFET. H04N65E

 

H04N65E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: H04N65E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для H04N65E

 

 

H04N65E Datasheet (PDF)

 8.1. Size:169K  hsmc
 h04n65.pdf

H04N65E H04N65E

Spec. No. : MOS200802 HI-SINCERITY Issued Date : 2008.07.22 Revised Date :2009.03.23 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/6 H04N65 Series Pin Assignment H04N65 Series Tab3-Lead Plastic TO-220ABN-Channel Power Field Effect Transistor (650V, 4A) Package Code: E Pin 1: Gate Pin 2 & Tab: Drain Pin 3: SourceDescription 3 2 1 This advanced high voltage MOSFET is d

 9.1. Size:123K  hsmc
 h04n60.pdf

H04N65E H04N65E

Spec. No. : MOS200404 HI-SINCERITY Issued Date : 2004.07.01 Revised Date :2010.10.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/6 H04N60 Series Pin Assignment H04N60 Series Tab3-Lead Plastic TO-263 Package Code: U N-Channel Power Field Effect Transistor (600V, 4A) Pin 1: Gate Pin 2 & Tab: Drain 3 2 Pin 3: Source1Description Tab3-Lead Plastic TO-220ABThis advanced

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top