Справочник MOSFET. H04N65E

 

H04N65E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H04N65E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

H04N65E Datasheet (PDF)

 8.1. Size:169K  hsmc
 h04n65.pdf pdf_icon

H04N65E

Spec. No. : MOS200802 HI-SINCERITY Issued Date : 2008.07.22 Revised Date :2009.03.23 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/6 H04N65 Series Pin Assignment H04N65 Series Tab3-Lead Plastic TO-220ABN-Channel Power Field Effect Transistor (650V, 4A) Package Code: E Pin 1: Gate Pin 2 & Tab: Drain Pin 3: SourceDescription 3 2 1 This advanced high voltage MOSFET is d

 9.1. Size:123K  hsmc
 h04n60.pdf pdf_icon

H04N65E

Spec. No. : MOS200404 HI-SINCERITY Issued Date : 2004.07.01 Revised Date :2010.10.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/6 H04N60 Series Pin Assignment H04N60 Series Tab3-Lead Plastic TO-263 Package Code: U N-Channel Power Field Effect Transistor (600V, 4A) Pin 1: Gate Pin 2 & Tab: Drain 3 2 Pin 3: Source1Description Tab3-Lead Plastic TO-220ABThis advanced

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: HYG060P04LQ1D | AP4N3R6P | CRTD063N04L | NVB6410AN | IRF3707SPBF | RDX060N60FU6 | IRFB41N15DPBF

 

 
Back to Top

 


 
.