H04N65E - описание и поиск аналогов

 

H04N65E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H04N65E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для H04N65E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H04N65E даташит

 8.1. Size:169K  hsmc
 h04n65.pdf pdf_icon

H04N65E

Spec. No. MOS200802 HI-SINCERITY Issued Date 2008.07.22 Revised Date 2009.03.23 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/6 H04N65 Series Pin Assignment H04N65 Series Tab 3-Lead Plastic TO-220AB N-Channel Power Field Effect Transistor (650V, 4A) Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Pin 3 Source Description 3 2 1 This advanced high voltage MOSFET is d

 9.1. Size:123K  hsmc
 h04n60.pdf pdf_icon

H04N65E

Spec. No. MOS200404 HI-SINCERITY Issued Date 2004.07.01 Revised Date 2010.10.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/6 H04N60 Series Pin Assignment H04N60 Series Tab 3-Lead Plastic TO-263 Package Code U N-Channel Power Field Effect Transistor (600V, 4A) Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain 3 2 Pin 3 Source 1 Description Tab 3-Lead Plastic TO-220AB This advanced

Другие MOSFET... H02N60SI , H02N60SJ , H02N65E , H02N65F , H03N60E , H03N60F , H04N60E , H04N60F , 2N60 , H04N65F , H05N50E , H05N50F , H05N60E , H05N60F , H06N60E , H06N60F , H07N60E .

History: IXFC13N50 | RCJ220N25 | 12N60AF | IXFC22N60P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.