Справочник MOSFET. H05N50F

 

H05N50F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H05N50F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

H05N50F Datasheet (PDF)

 8.1. Size:45K  hsmc
 h05n50.pdf pdf_icon

H05N50F

Spec. No. : MOS200601HI-SINCERITYIssued Date : 2006.02.01Revised Date : 2006.02.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4H05N50 Series Pin AssignmentH05N50 SeriesTabN-CHANNEL POWER MOSFET3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThis N - Channel MOSFETs provide the designer with the bestcombination of fast switching

Другие MOSFET... H02N65F , H03N60E , H03N60F , H04N60E , H04N60F , H04N65E , H04N65F , H05N50E , SKD502T , H05N60E , H05N60F , H06N60E , H06N60F , H07N60E , H07N60F , H07N65E , H07N65F .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.