H05N50F - описание и поиск аналогов

 

H05N50F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H05N50F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

Аналог (замена) для H05N50F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H05N50F даташит

 8.1. Size:45K  hsmc
 h05n50.pdf pdf_icon

H05N50F

Spec. No. MOS200601 HI-SINCERITY Issued Date 2006.02.01 Revised Date 2006.02.20 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 H05N50 Series Pin Assignment H05N50 Series Tab N-CHANNEL POWER MOSFET 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source This N - Channel MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching

Другие MOSFET... H02N65F , H03N60E , H03N60F , H04N60E , H04N60F , H04N65E , H04N65F , H05N50E , 75N75 , H05N60E , H05N60F , H06N60E , H06N60F , H07N60E , H07N60F , H07N65E , H07N65F .

History: TMP4N65Z | C3M0120090J | AP75N07GP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.