BUZ354 - описание и поиск аналогов

 

BUZ354. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ354

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO218

Аналог (замена) для BUZ354

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ354 даташит

 ..1. Size:280K  st
buz354.pdfpdf_icon

BUZ354

 9.1. Size:264K  st
buz353.pdfpdf_icon

BUZ354

 9.2. Size:182K  siemens
buz351.pdfpdf_icon

BUZ354

 9.3. Size:208K  siemens
buz355.pdfpdf_icon

BUZ354

BUZ 355 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 355 800 V 6 A 1.5 TO-218 AA C67078-S3107-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 29 C 6 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 24 Avalanche current,limited by Tjmax IAR 5.

Другие MOSFET... HIRF740F , HIRF830 , HIRF830F , HIRF840 , HIRF840F , BUZ11S2 , BUZ11S2FI , BUZ353 , 2SK3878 , IRF152 , IRF521FI , IRF522FI , IRF523FI , IRF531FI , IRF532FI , IRF533FI , IRF541FI .

History: BS107ARL1 | FTP18N06N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.