IRF621FI - описание и поиск аналогов

 

IRF621FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF621FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT220

Аналог (замена) для IRF621FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF621FI даташит

 8.1. Size:124K  international rectifier
irf6216pbf.pdfpdf_icon

IRF621FI

SMPS MOSFET PD - 95293 IRF6216PbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l Reset Switch for Active Clamp Reset DC-DC converters -150V 0.240W@VGS =-10V -2.2A l Lead-Free Benefits l Low Gate to Drain Charge to Reduce A 1 8 S D Switching Losses 2 7 S D l Fully Characterized Capacitance Including 3 Effective COSS to Simplify Design (See 6 S D App. Note AN1001) 4

 8.2. Size:299K  international rectifier
irf6218spbf.pdfpdf_icon

IRF621FI

PD - 96181 IRF6218SPbF SMPS MOSFET IRF6218LPbF HEXFET Power MOSFET Applications l Reset Switch for Active Clamp VDSS RDS(on) max ID Reset DC-DC converters 150m @VGS = -10V -27A -150V Benefits D l Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design (See G App. Note AN1001) D2Pak TO-262 l Fully Cha

 8.3. Size:182K  international rectifier
irf6215s.pdfpdf_icon

IRF621FI

PD - 91643 IRF6215S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount (IRF6215S) VDSS = -150V Low-profile through-hole (IRF6215L) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.29 Fast Switching G P-Channel ID = -13A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve

 8.4. Size:270K  international rectifier
auirf6215.pdfpdf_icon

IRF621FI

PD - 97564 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF6215 Features l Advanced Planar Technology HEXFET Power MOSFET l Low On-Resistance l P-Channel D V(BR)DSS -150V l Dynamic dv/dt Rating RDS(on) max. 0.29 l 175 C Operating Temperature G l Fast Switching ID -13A S l Fully Avalanche Rated l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified D D

Другие MOSFET... IRF522FI , IRF523FI , IRF531FI , IRF532FI , IRF533FI , IRF541FI , IRF542FI , IRF543FI , SKD502T , IRF622FI , IFR623 , IRF623FI , IRF721FI , IRF722FI , IRF723FI , IRF731FI , IRF732FI .

History: ZXMP10A18KTC | AP4533GEM-HF | IRLS3034-7PPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.