IRF721FI. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF721FI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
Тип корпуса: ISOWATT220
Аналог (замена) для IRF721FI
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF721FI даташит
irf7210pbf.pdf
PD - 97040 IRF7210PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D l P-Channel MOSFET VDSS = -12V 2 7 l Surface Mount S D l Available in Tape & Reel 3 6 S D l Lead-Free 4 5 G D RDS(on) = 0.007 Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silic
irf7210.pdf
PD- 91844A IRF7210 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D P-Channel MOSFET VDSS = -12V 2 7 Surface Mount S D Available in Tape & Reel 3 6 S D 4 5 G D RDS(on) = 0.007 Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefi
irf7210tr.pdf
IRF7210TR www.VBsemi.tw P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.0050 at VGS = - 4.5 V - 16 TrenchFET Power MOSFET 0.0065 at VGS = - 2.5 V - 12 - 15 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.0100 at VGS = - 1.8 V - 13 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S
Другие MOSFET... IRF533FI , IRF541FI , IRF542FI , IRF543FI , IRF621FI , IRF622FI , IFR623 , IRF623FI , 12N60 , IRF722FI , IRF723FI , IRF731FI , IRF732FI , IRF733FI , IRF741FI , IRF742FI , IRF743FI .
History: IRF623FI | GPT09N50D | CS3N50B4 | 2SJ181S | 2SK4066-E | IPB090N06N3
History: IRF623FI | GPT09N50D | CS3N50B4 | 2SJ181S | 2SK4066-E | IPB090N06N3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565




