Справочник MOSFET. SGSP367

 

SGSP367 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SGSP367
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 40 ns
   Выходная емкость (Cd): 260 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.33 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SGSP367

 

 

SGSP367 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:378K  st
sgsp363-sgsp367.pdf

SGSP367
SGSP367

 8.1. Size:388K  st
sgsp361-sgsp362.pdf

SGSP367
SGSP367

 8.2. Size:355K  st
sgsp364-sgsp369.pdf

SGSP367
SGSP367

Другие MOSFET... SGSP330 , SGSP341 , SGSP351 , SGSP358 , SGSP361 , SGSP362 , SGSP363 , SGSP364 , IRF3205 , SGSP369 , SGSP381 , SGSP382 , SGSP461 , SGSP462 , SGSP471 , SGSP472 , SGSP474 .

 

 
Back to Top