2SJ115 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SJ115
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 160 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 500 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1 Ohm
Тип корпуса: 2-16C1H
2SJ115 Datasheet (PDF)
0.1. 2sj115.pdf 
Size:53K _no
9.1. 2sj116.pdf Size:208K _hitachi
9.2. 2sj117.pdf Size:20K _hitachi
2SJ117Silicon P-Channel MOS FETADE-208-1180 (Z)1st. EditionMar. 2001ApplicationHigh speed power switchingFeatures High speed switching Good frequency characteristics Wide area of safe operation Suitable for switching regulator, DC-DC converter and ultrasonic power oscillators.OutlineTO-220ABD1231. Gate2. DrainG(Flange)3. SourceS2SJ117
9.3. 2sj113.pdf Size:43K _hitachi
9.4. 2sj118.pdf Size:140K _no
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
