2SJ115 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SJ115
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 160 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: 2-16C1H
Аналог (замена) для 2SJ115
2SJ115 Datasheet (PDF)
2sj117.pdf

2SJ117Silicon P-Channel MOS FETADE-208-1180 (Z)1st. EditionMar. 2001ApplicationHigh speed power switchingFeatures High speed switching Good frequency characteristics Wide area of safe operation Suitable for switching regulator, DC-DC converter and ultrasonic power oscillators.OutlineTO-220ABD1231. Gate2. DrainG(Flange)3. SourceS2SJ117
Другие MOSFET... BF244B , BF244C , 19MT050XF , 2SJ104 , 2SJ107 , 2SJ108 , 2SJ109 , 2SJ113 , 8205A , 2SJ116 , 2SJ117 , 2SJ118 , 2SJ119 , 2SJ130 , 2SJ175 , 2SJ181 , 2SJ244 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT028N10P | MPT023N10T | MPT012N08T | MPG90N08S | MPG90N08P | MPG80N06P | MPG60NF06P | MPG60N10P | MPG40N10P | MPG30N10P | MPG30N06P | MPG200N08S | MPG200N08P | MPG180N10S | MPG180N10P | MDT08N06D
Popular searches
irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c