2SJ115 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги 2SJ115. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SJ115
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 160 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: 2-16C1H
 

 Аналог (замена) для 2SJ115

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ115 даташит

 ..1. Size:53K  no
 2sj115.pdf pdf_icon

2SJ115

 9.1. Size:208K  hitachi
 2sj116.pdf pdf_icon

2SJ115

 9.2. Size:43K  hitachi
 2sj113.pdf pdf_icon

2SJ115

 9.3. Size:20K  hitachi
 2sj117.pdf pdf_icon

2SJ115

2SJ117 Silicon P-Channel MOS FET ADE-208-1180 (Z) 1st. Edition Mar. 2001 Application High speed power switching Features High speed switching Good frequency characteristics Wide area of safe operation Suitable for switching regulator, DC-DC converter and ultrasonic power oscillators. Outline TO-220AB D 1 2 3 1. Gate 2. Drain G (Flange) 3. Source S 2SJ117

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BF244B , BF244C , 19MT050XF , 2SJ104 , 2SJ107 , 2SJ108 , 2SJ109 , 2SJ113 , IRFP260 , 2SJ116 , 2SJ117 , 2SJ118 , 2SJ119 , 2SJ130 , 2SJ175 , 2SJ181 , 2SJ244 .

 

 
Back to Top

 


 
.