2SJ115 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SJ115
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 160 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: 2-16C1H
Аналог (замена) для 2SJ115
2SJ115 Datasheet (PDF)
2sj117.pdf

2SJ117Silicon P-Channel MOS FETADE-208-1180 (Z)1st. EditionMar. 2001ApplicationHigh speed power switchingFeatures High speed switching Good frequency characteristics Wide area of safe operation Suitable for switching regulator, DC-DC converter and ultrasonic power oscillators.OutlineTO-220ABD1231. Gate2. DrainG(Flange)3. SourceS2SJ117
Другие MOSFET... BF244B , BF244C , 19MT050XF , 2SJ104 , 2SJ107 , 2SJ108 , 2SJ109 , 2SJ113 , 4435 , 2SJ116 , 2SJ117 , 2SJ118 , 2SJ119 , 2SJ130 , 2SJ175 , 2SJ181 , 2SJ244 .
History: BRP50N20 | WFW18N50 | IRHG9110 | SSF26NS60
History: BRP50N20 | WFW18N50 | IRHG9110 | SSF26NS60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T | AP100N03P | AP100N03D | AP100N03AD | AP01P10I | APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190
Popular searches
irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c