2SJ119 - описание и поиск аналогов

 

2SJ119. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SJ119

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 160 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для 2SJ119

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ119 даташит

 9.1. Size:208K  hitachi
 2sj116.pdf pdf_icon

2SJ119

 9.2. Size:43K  hitachi
 2sj113.pdf pdf_icon

2SJ119

 9.3. Size:20K  hitachi
 2sj117.pdf pdf_icon

2SJ119

2SJ117 Silicon P-Channel MOS FET ADE-208-1180 (Z) 1st. Edition Mar. 2001 Application High speed power switching Features High speed switching Good frequency characteristics Wide area of safe operation Suitable for switching regulator, DC-DC converter and ultrasonic power oscillators. Outline TO-220AB D 1 2 3 1. Gate 2. Drain G (Flange) 3. Source S 2SJ117

 9.4. Size:53K  no
 2sj115.pdf pdf_icon

2SJ119

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SJ107 , 2SJ108 , 2SJ109 , 2SJ113 , 2SJ115 , 2SJ116 , 2SJ117 , 2SJ118 , K4145 , 2SJ130 , 2SJ175 , 2SJ181 , 2SJ244 , 2SJ307 , 2SJ317 , 2SJ319 , 2SJ361 .

History: WMK030N06HG4 | VS3638DE-G | VS3640DP | SI9945BDY-T1 | IRFB52N15D | WSD30L60DN56 | SWYN7N65D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.