2SK1096-MR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK1096-MR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: SC67
Аналог (замена) для 2SK1096-MR
2SK1096-MR Datasheet (PDF)
2sk1098-m.pdf

N-channel MOS-FET2SK1098-MF-III Series 150V 0,5 6A 30W> Features > Outline Drawing- High Current- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Forward Transconductance> Applications- Motor Control- General Purpose Power Amplifier- DC-DC converters> Maximum Ratings and Characteristics > Equivalent Circuit- Absolute Maximum Ratings (TC=25C),
2sk1093.pdf

2SK1093Silicon N-Channel MOS FETApplicationTO220FMHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance21 High speed switching23 Low drive current 4 V gate drive device Can be driven from 5 V source 1 Suitable for motor drive, DC-DC converter,1. Gatepower switch and solenoid drive2. Drain3. Source3Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta
Другие MOSFET... 2SJ601Z , 2SJ74 , 2SK1016 , 2SK1082 , 2SK1086 , 2SK1093 , 2SK1094 , 2SK1095 , IRF830 , 2SK1098-M , 2SK1099 , 2SK1117 , 2SK1118 , 2SK1153 , 2SK1154 , 2SK1157 , 2SK1161 .
History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04
History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n