Справочник MOSFET. 2SK1096-MR

 

2SK1096-MR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK1096-MR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SC67
 

 Аналог (замена) для 2SK1096-MR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1096-MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  fuji
2sk1096-mr.pdfpdf_icon

2SK1096-MR

 8.1. Size:60K  fuji
2sk1099.pdfpdf_icon

2SK1096-MR

 8.2. Size:178K  fuji
2sk1098-m.pdfpdf_icon

2SK1096-MR

N-channel MOS-FET2SK1098-MF-III Series 150V 0,5 6A 30W> Features > Outline Drawing- High Current- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Forward Transconductance> Applications- Motor Control- General Purpose Power Amplifier- DC-DC converters> Maximum Ratings and Characteristics > Equivalent Circuit- Absolute Maximum Ratings (TC=25C),

 8.3. Size:20K  hitachi
2sk1093.pdfpdf_icon

2SK1096-MR

2SK1093Silicon N-Channel MOS FETApplicationTO220FMHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance21 High speed switching23 Low drive current 4 V gate drive device Can be driven from 5 V source 1 Suitable for motor drive, DC-DC converter,1. Gatepower switch and solenoid drive2. Drain3. Source3Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta

Другие MOSFET... 2SJ601Z , 2SJ74 , 2SK1016 , 2SK1082 , 2SK1086 , 2SK1093 , 2SK1094 , 2SK1095 , IRF830 , 2SK1098-M , 2SK1099 , 2SK1117 , 2SK1118 , 2SK1153 , 2SK1154 , 2SK1157 , 2SK1161 .

History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04

 

 
Back to Top

 


 
.