2SK1096-MR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SK1096-MR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: SC67
Аналог (замена) для 2SK1096-MR
2SK1096-MR Datasheet (PDF)
2sk1098-m.pdf

N-channel MOS-FET2SK1098-MF-III Series 150V 0,5 6A 30W> Features > Outline Drawing- High Current- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Forward Transconductance> Applications- Motor Control- General Purpose Power Amplifier- DC-DC converters> Maximum Ratings and Characteristics > Equivalent Circuit- Absolute Maximum Ratings (TC=25C),
2sk1093.pdf

2SK1093Silicon N-Channel MOS FETApplicationTO220FMHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance21 High speed switching23 Low drive current 4 V gate drive device Can be driven from 5 V source 1 Suitable for motor drive, DC-DC converter,1. Gatepower switch and solenoid drive2. Drain3. Source3Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta
Другие MOSFET... 2SJ601Z , 2SJ74 , 2SK1016 , 2SK1082 , 2SK1086 , 2SK1093 , 2SK1094 , 2SK1095 , IRF830 , 2SK1098-M , 2SK1099 , 2SK1117 , 2SK1118 , 2SK1153 , 2SK1154 , 2SK1157 , 2SK1161 .
History: 25N10G-TN3-R | FQU5P20 | IXTQ76N25T | ME60N03AS | ME60P06T | CHM1305WGP | NCEAP40T35ALL
History: 25N10G-TN3-R | FQU5P20 | IXTQ76N25T | ME60N03AS | ME60P06T | CHM1305WGP | NCEAP40T35ALL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n