Справочник MOSFET. AP01L60AT

 

AP01L60AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP01L60AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30.7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: TO92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP01L60AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  ape
 ap01l60at.pdf pdf_icon

AP01L60AT

AP01L60ATRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 600VD Fast Switching Characteristics RDS(ON) 12 Simple Drive Requirement ID 160mAGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effe

 7.1. Size:86K  ape
 ap01l60t-h-hf.pdf pdf_icon

AP01L60AT

AP01L60T-H-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 700VD Fast Switching Characteristics RDS(ON) 13.5 Simple Drive Requirement ID 160mAG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistan

 7.2. Size:62K  ape
 ap01l60h-a-hf ap01l60j-a-hf.pdf pdf_icon

AP01L60AT

AP01L60H/J-A-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Rated BVDSS 650VD Fast Switching Speed RDS(ON) 12 Simple Drive Requirement ID 1AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionThe TO-252 package is widely preferred for commercial-industrialGsurface mount applications and suited for AC/

 7.3. Size:92K  ape
 ap01l60t.pdf pdf_icon

AP01L60AT

AP01L60TRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 600VD Fast Switching Characteristics RDS(ON) 12 Simple Drive Requirement ID 160mAGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient andcost-effect

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: NP32N055SLE | PSMN4R4-80PS | IRF1010Z | SDU04N60 | IRF9317 | SSF2116EJ3 | SM2001CSK

 

 
Back to Top

 


 
.