AP01N60H-HF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP01N60H-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для AP01N60H-HF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP01N60H-HF даташит
ap01n60hj-hf.pdf
AP01N60H/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600V D Fast Switching Characteristics RDS(ON) 8 Simple Drive Requirement ID 1.6A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial D S TO-252(H) surface mount ap
ap01n60p.pdf
AP01N60P Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Dynamic dv/dt Rating BVDSS 600V Repetitive Avalanche Rated RDS(ON) 8 Fast Switching ID 1.6A Simple Drive Requirement G D TO-220 S RoHS Compliant Description D The TO-220 package is universally preferred for all commercial- industrial applications. The de
ap01n60j.pdf
AP01N60J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600V D Fast Switching Characteristics RDS(ON) 8 Simple Drive Requirement ID 1.6A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G D S TO-251(J) AP01N60 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology
Другие MOSFET... AP01L60H-HF , AP01L60J-HF , AP01L60T , AP01L60T-H-HF , AP01N15GK-HF , AP01N40G-HF , AP01N40J-HF , AP01N40H-HF , AON6414A , AP01N60J-HF , 2SK2740 , 2SK2791 , 2SK2792 , 2SK2793 , 2SK2795 , 2SK2845 , 2SK2854 .
History: SWB056R68E7T | SSZ65R041SFD2 | SI2308BDS | SWD7N65DA | JBL101N | SWD10N50K | FQB44N10
History: SWB056R68E7T | SSZ65R041SFD2 | SI2308BDS | SWD7N65DA | JBL101N | SWD10N50K | FQB44N10
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor



