Справочник MOSFET. AP02N90I

 

AP02N90I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP02N90I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AP02N90I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP02N90I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:39K  ape
ap02n90i.pdfpdf_icon

AP02N90I

AP02N90IPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 900V Isolation Full Package RDS(ON) 7.2 Fast Switching Characteristics ID 1.9AG RoHS compliantSDescriptionThe TO-220CFM package is universally preferred for all commercial-industrial applications. The device is suited for s

 0.1. Size:92K  ape
ap02n90i-hf.pdfpdf_icon

AP02N90I

AP02N90I-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 900V Isolation Full Package RDS(ON) 7.2 Fast Switching Characteristics ID 1.9AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionThe TO-220CFM package is universally preferred for all commercial-industrial applications. The device

 7.1. Size:197K  ape
ap02n90h.pdfpdf_icon

AP02N90I

AP02N90H/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 900VD Low On-resistance RDS(ON) 7.2 Fast Switching Characteristics ID 1.9A RoHS Compliant & Halogen-FreeGSDescriptionAP02N90 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the

 7.2. Size:57K  ape
ap02n90p-hf.pdfpdf_icon

AP02N90I

AP02N90P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 900V Low On-resistance RDS(ON) 7.2 Fast Switching Characteristics ID 1.9A RoHS Compliant & Halogen-FreeGD TO-220DSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerwith the best combination of fast switching

Другие MOSFET... AP02N60I-A-HF , AP02N60J , AP02N60J-H , AP02N60P-A-HF , AP02N60T-H-HF , AP02N70EI-HF , AP02N70EJ , AP02N90H-HF , IRF730 , AP02N90J-HF , AP02N90P-HF , AP03N40AH-HF , AP03N40AI-HF , AP03N40AJ-HF , AP03N40AP-HF , AP03N40I-HF , AP03N40J-HF .

History: PB606BA | HY1803C2 | DAMH50N500H | P4506BD | ME4972-G | OSG65R070PT3F | SI7617DN

 

 
Back to Top

 


 
.