Справочник MOSFET. AP02N90P-HF

 

AP02N90P-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP02N90P-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP02N90P-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  ape
 ap02n90p-hf.pdf pdf_icon

AP02N90P-HF

AP02N90P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 900V Low On-resistance RDS(ON) 7.2 Fast Switching Characteristics ID 1.9A RoHS Compliant & Halogen-FreeGD TO-220DSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerwith the best combination of fast switching

 6.1. Size:157K  ape
 ap02n90p.pdf pdf_icon

AP02N90P-HF

AP02N90P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 900V Low On-resistance RDS(ON) 7.2 Fast Switching Characteristics ID 1.9A RoHS Compliant & Halogen-FreeGD TO-220DSDescriptionAP02N90 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

 7.1. Size:197K  ape
 ap02n90h.pdf pdf_icon

AP02N90P-HF

AP02N90H/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 900VD Low On-resistance RDS(ON) 7.2 Fast Switching Characteristics ID 1.9A RoHS Compliant & Halogen-FreeGSDescriptionAP02N90 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the

 7.2. Size:39K  ape
 ap02n90i.pdf pdf_icon

AP02N90P-HF

AP02N90IPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 900V Isolation Full Package RDS(ON) 7.2 Fast Switching Characteristics ID 1.9AG RoHS compliantSDescriptionThe TO-220CFM package is universally preferred for all commercial-industrial applications. The device is suited for s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HSS2310A | LR024N | FTK3134K | NTP2955 | UPA2792GR | SMK0460D | PMN70XPE

 

 
Back to Top

 


 
.