Справочник MOSFET. AP0403GM-HF

 

AP0403GM-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP0403GM-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP0403GM-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP0403GM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  ape
 ap0403gm-hf.pdf pdf_icon

AP0403GM-HF

AP0403GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5mD Fast Switching Characteristic ID 18.7AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of

 6.1. Size:167K  ape
 ap0403gm.pdf pdf_icon

AP0403GM-HF

AP0403GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5mD Fast Switching Characteristic ID 18.7AGS RoHS Compliant & Halogen-Free SSSO-8DescriptionDAP0403 series are from

 7.1. Size:143K  ape
 ap0403gh.pdf pdf_icon

AP0403GM-HF

AP0403GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5m Fast Switching Characteristic ID 75AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the GDSdesigner with the best combination of fast switching,TO-252(H)ruggedized device desi

 7.2. Size:93K  ape
 ap0403gh-hf.pdf pdf_icon

AP0403GM-HF

AP0403GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theGDbest combination of fast switching, rugge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP03N70J-A-HF , AP03N70J-H , AP03N70J-HF , AP03N70P-A , AP03N70P-H , AP03N90I-HF , AP03N90P-HF , AP0403GH-HF , IRF740 , 2SK2647-01MR , 2SK3264-01MR , 2SK3530-01MR , 2SJ413 , 2SJ416 , 2SJ417 , 2SJ419 , 2SJ418 .

History: RU2020H | BUK9K8R7-40E | AM4910N | HM25P15K | JCS7N65CE | ECH8305 | PTD3006

 

 
Back to Top

 


 
.