AP0403GM-HF - описание и поиск аналогов

 

AP0403GM-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP0403GM-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP0403GM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP0403GM-HF даташит

 ..1. Size:90K  ape
 ap0403gm-hf.pdf pdf_icon

AP0403GM-HF

AP0403GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5m D Fast Switching Characteristic ID 18.7A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

 6.1. Size:167K  ape
 ap0403gm.pdf pdf_icon

AP0403GM-HF

AP0403GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5m D Fast Switching Characteristic ID 18.7A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP0403 series are from

 7.1. Size:143K  ape
 ap0403gh.pdf pdf_icon

AP0403GM-HF

AP0403GH RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5m Fast Switching Characteristic ID 75A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S designer with the best combination of fast switching, TO-252(H) ruggedized device desi

 7.2. Size:93K  ape
 ap0403gh-hf.pdf pdf_icon

AP0403GM-HF

AP0403GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5m Fast Switching Characteristic ID 75A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the G D best combination of fast switching, rugge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP03N70J-A-HF , AP03N70J-H , AP03N70J-HF , AP03N70P-A , AP03N70P-H , AP03N90I-HF , AP03N90P-HF , AP0403GH-HF , IRF740 , 2SK2647-01MR , 2SK3264-01MR , 2SK3530-01MR , 2SJ413 , 2SJ416 , 2SJ417 , 2SJ419 , 2SJ418 .

History: BUK455-60B | FDMS3600S | FDMS3602S | GKI03061 | IRLR120PBF | AOD2544 | IRLR3714

 

 

 

 

↑ Back to Top
.