AP04N70BS-H-HF - описание и поиск аналогов

 

AP04N70BS-H-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP04N70BS-H-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для AP04N70BS-H-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP04N70BS-H-HF даташит

 ..1. Size:58K  ape
 ap04n70bs-h-hf.pdf pdf_icon

AP04N70BS-H-HF

AP04N70BS-H-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 700V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.4 Simple Drive Requirement ID 4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP04N70 series are specially designed as main switching devices for G D S TO-263(S) universal 90 265VAC

 3.1. Size:170K  ape
 ap04n70bs-h.pdf pdf_icon

AP04N70BS-H-HF

AP04N70BS-H-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 700V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.4 Simple Drive Requirement ID 4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP04N70B series are from Advanced Power innovated design and G D S TO-263(S) silicon process technology

 6.1. Size:70K  ape
 ap04n70bi-hf.pdf pdf_icon

AP04N70BS-H-HF

AP04N70BI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.4 Simple Drive Requirement ID 4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedi

 6.2. Size:105K  ape
 ap04n70bi-a.pdf pdf_icon

AP04N70BS-H-HF

AP04N70BI-A RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 650V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.4 Simple Drive Requirement ID 4A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP04N60I , AP04N60I-A-HF , AP04N60R-A-HF , AP04N60S-H-HF , AP04N70BI , AP04N70BI-A , AP04N70BI-H-HF , AP04N70BP-A , 2SK3878 , AP04N80I-HF , AP04N80R-HF , 2SK4097LS , 2SK2103 , 2SK315 , 2SK321 , 2SK322 , 2SK3230B .

History: 2SK321

 

 

 

 

↑ Back to Top
.