AP0903GYT-HF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP0903GYT-HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP0903GYT-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK3X3
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP0903GYT-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  ape
 ap0903gyt-hf.pdf pdf_icon

AP0903GYT-HF

AP0903GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V Good Thermal Dissipation RDS(ON) 9m Low On-resistance ID 16AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

 5.1. Size:111K  ape
 ap0903gyt.pdf pdf_icon

AP0903GYT-HF

AP0903GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V Good Thermal Dissipation RDS(ON) 9m Low On-resistance ID 16AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, rugge

 7.1. Size:95K  ape
 ap0903gm-hf.pdf pdf_icon

AP0903GYT-HF

AP0903GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.5mD Fast Switching Characteristic ID 13.3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

 7.2. Size:168K  ape
 ap0903gm.pdf pdf_icon

AP0903GYT-HF

AP0903GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.5mD Fast Switching Characteristic ID 13.3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAP0903 series are from

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP07N70CI-H , AP0803GMP-HF , AP0803GMT-HF , AP08N60I-HF , AP08P20GP-HF , AP08P20GS-HF , AP0903GH-HF , AP0903GM-HF , 2N60 , AP0904GH-HF , AP0904GJB-HF , AP0904GJ-HF , AP0904GMT-HF , AP0904GYT-HF , AP09N20BGH-HF , AP09N20BGI-HF , AP09N20BGP-HF .

History: 4N80G-TMA8-T | PJP5NA50

 

 
Back to Top

 


 
.