AP09N20BGI-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP09N20BGI-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AP09N20BGI-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP09N20BGI-HF даташит

 ..1. Size:58K  ape
 ap09n20bgi-hf.pdf pdf_icon

AP09N20BGI-HF

AP09N20BGI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 200V D Lower Gate Charge RDS(ON) 460m Fast Switching Characteristics ID 7.8A RoHS Compliant & Halogen-Free G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G r

 5.1. Size:93K  ape
 ap09n20bgh-hf.pdf pdf_icon

AP09N20BGI-HF

AP09N20BGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 200V D Lower Gate Charge RDS(ON) 460m Fast Switching Characteristics ID 7.8A RoHS Compliant & Halogen-Free G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S TO-252(H) designer with the best combination of f

 5.2. Size:230K  ape
 ap09n20bgh.pdf pdf_icon

AP09N20BGI-HF

AP09N20BGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 200V D Lower Gate Charge RDS(ON) 460m Fast Switching Characteristics ID 7.8A RoHS Compliant & Halogen-Free G S Description AP09N20B series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology to achieve th

 5.3. Size:58K  ape
 ap09n20bgp-hf.pdf pdf_icon

AP09N20BGI-HF

AP09N20BGP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 200V D Lower Gate Charge RDS(ON) 460m Fast Switching Characteristics ID 7.8A RoHS Compliant & Halogen-Free G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP0903GM-HF, AP0903GYT-HF, AP0904GH-HF, AP0904GJB-HF, AP0904GJ-HF, AP0904GMT-HF, AP0904GYT-HF, AP09N20BGH-HF, P60NF06, AP09N20BGP-HF, AP09N20H-HF, AP09N20J-HF, AP09N50I, AP09N50I-HF, AP09N50P-HF, AP09N70I-A, AP09N70I-A-HF