Справочник MOSFET. AP09N50I-HF

 

AP09N50I-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP09N50I-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP09N50I-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  ape
ap09n50i-hf.pdfpdf_icon

AP09N50I-HF

AP09N50I-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.75 Fast Switching Characteristic ID 9AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized

 6.1. Size:59K  ape
ap09n50i.pdfpdf_icon

AP09N50I-HF

AP09N50IRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.75 Fast Switching Characteristic ID 9AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized device design, low on-Gresistan

 7.1. Size:95K  ape
ap09n50p-hf.pdfpdf_icon

AP09N50I-HF

AP09N50P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 500V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.75 RoHS Compliant & Halogen-Free ID 9AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design, lowG

 9.1. Size:238K  ape
ap09n20h.pdfpdf_icon

AP09N50I-HF

AP09N20H/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 200VD Low On-resistance RDS(ON) 380m Fast Switching Characteristics ID 8.6A RoHS CompliantGSDescriptionAP09N20 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possibl

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRL640PBF | STB18NF25 | FQD7N20TM | NTMD6P02R2 | BLA1011S-200R | FDWS86380-F085 | BRCS250N10SYB

 

 
Back to Top

 


 
.