AP09N70R. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP09N70R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для AP09N70R
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP09N70R даташит
ap09n70r.pdf
AP09N70R RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Rated BVDSS 600V D D Fast Switching RDS(ON) 0.75 Simple Drive Requirement ID 9A G G S S Description AP09N70 series are specially designed as main switching devices for universal 90 265VAC off-line AC/DC converter applications.The TO-262 type provi
ap09n70r-a.pdf
AP09N70R-A-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 650V Fast Switching RDS(ON) 0.75 Simple Drive Requirement ID 9A G RoHS Compliant S Description AP09N70 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on- resistance an
ap09n70r-a-hf.pdf
AP09N70R-A-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 650V D D Fast Switching RDS(ON) 0.75 Simple Drive Requirement ID 9A G G RoHS Compliant S S Description AP09N70 series are specially designed as main switching devices for universal 90 265VAC off-line AC/DC converter applications.
ap09n70i-a.pdf
AP09N70I-A RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 650V Fast Switching RDS(ON) 0.75 Simple Drive Requirement ID 9A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effe
Другие MOSFET... AP09N50I-HF , AP09N50P-HF , AP09N70I-A , AP09N70I-A-HF , AP09N70I-H-HF , AP09N70R-H , AP09N70P-H , AP09N70P-A , AON7403 , AP09N70R-A-HF , AP09N90CW-HF , AP09N90W , AP09T10GH-HF , AP09T10GK-HF , AP09T10GP-HF , AP1001BSQ , AP1002BMX .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor









