Справочник MOSFET. AP1001BSQ

 

AP1001BSQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP1001BSQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: GREENFET-SQ
 

 Аналог (замена) для AP1001BSQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP1001BSQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  ape
 ap1001bsq.pdf pdf_icon

AP1001BSQ

AP1001BSQHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 6m Low Profile (

 9.1. Size:132K  ape
 ap1005bsq.pdf pdf_icon

AP1001BSQ

AP1005BSQHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 3.8m Low Profile (

 9.2. Size:99K  ape
 ap1002bmx.pdf pdf_icon

AP1001BSQ

AP1002BMXHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 1.8m Low Profile (

 9.3. Size:158K  ape
 ap1003bst.pdf pdf_icon

AP1001BSQ

AP1003BSTPreliminaryAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 4.7m Low Profile (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP09N70P-A , AP09N70R , AP09N70R-A-HF , AP09N90CW-HF , AP09N90W , AP09T10GH-HF , AP09T10GK-HF , AP09T10GP-HF , AO4468 , AP1002BMX , AP10N60W , AP10N70I-A-HF , AP10N70P , AP10N70P-A , AP10N70R-A , AP10N70S , AP10N70W .

History: FDS6680A | BF990 | BLF6G20LS-180RN | FCA20N60F

 

 
Back to Top

 


 
.