Справочник MOSFET. AP1001BSQ

 

AP1001BSQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP1001BSQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: GREENFET-SQ
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP1001BSQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  ape
 ap1001bsq.pdf pdf_icon

AP1001BSQ

AP1001BSQHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 6m Low Profile (

 9.1. Size:132K  ape
 ap1005bsq.pdf pdf_icon

AP1001BSQ

AP1005BSQHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 3.8m Low Profile (

 9.2. Size:99K  ape
 ap1002bmx.pdf pdf_icon

AP1001BSQ

AP1002BMXHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 1.8m Low Profile (

 9.3. Size:158K  ape
 ap1003bst.pdf pdf_icon

AP1001BSQ

AP1003BSTPreliminaryAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 4.7m Low Profile (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.