Справочник MOSFET. AP10N60W

 

AP10N60W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP10N60W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для AP10N60W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP10N60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  ape
ap10n60w.pdfpdf_icon

AP10N60W

AP10N60WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.75 Simple Drive Requirement ID 10AGSDescriptionAP10N60 series are specially designed as main switching devices foruniversal 90~265VAC off-line AC/DC converter applications. TheTO-3P type

 8.1. Size:215K  ape
ap10n6r0s.pdfpdf_icon

AP10N60W

AP10N6R0SHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Lower On-resistance ID 95AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are from Advanced Powerinnovated designAP10N6R0 series are from AdvancedPower innovated designan

 9.1. Size:218K  ape
ap10n4r5i.pdfpdf_icon

AP10N60W

AP10N4R5IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5m Fast Switching Characteristic ID 70AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are from Advanced Powerinnovated designAP10N4R5 series are from AdvancedPower innovate

 9.2. Size:189K  ape
ap10n70p.pdfpdf_icon

AP10N60W

AP10N70R/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID 10AGSDescriptionGAP10N70 series are specially designed as main switching devices forDTO-262(R)Suniversal 90~265VAC off-line AC/DC converter applicati

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.