Справочник MOSFET. AP10N70S

 

AP10N70S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP10N70S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 174 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для AP10N70S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP10N70S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  ape
 ap10n70s.pdf pdf_icon

AP10N70S

AP10N70SRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID 10AGSDescriptionAP10N70S is specially designed as main switching devices for universalGD90~265VAC off-line AC/DC converter applications. TO-263 type provid

 7.1. Size:189K  ape
 ap10n70p.pdf pdf_icon

AP10N70S

AP10N70R/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID 10AGSDescriptionGAP10N70 series are specially designed as main switching devices forDTO-262(R)Suniversal 90~265VAC off-line AC/DC converter applicati

 7.2. Size:189K  ape
 ap10n70p-a.pdf pdf_icon

AP10N70S

AP10N70R/P-ARoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 650V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID 10AGSDescriptionGAP10N70 series are specially designed as main switching devices forDTO-262(R)Suniversal 90~265VAC off-line AC/DC converter applica

 7.3. Size:59K  ape
 ap10n70i-a-hf.pdf pdf_icon

AP10N70S

AP10N70I-A-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 650V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.62 Simple Drive Requirement ID 10AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, rugged

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP09T10GP-HF , AP1001BSQ , AP1002BMX , AP10N60W , AP10N70I-A-HF , AP10N70P , AP10N70P-A , AP10N70R-A , IRF840 , AP10N70W , AP10P10GH-HF , AP10P10GJ-HF , AP11N50I , 2SK3285 , 2SK3287 , 2SK3288 , 2SK3289 .

History: APT30M19JVFR

 

 
Back to Top

 


 
.