AP11N50I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP11N50I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AP11N50I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP11N50I даташит

 ..1. Size:93K  ape
 ap11n50i.pdf pdf_icon

AP11N50I

AP11N50I RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.62 Fast Switching Characteristic ID 11A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low G on-resistan

 0.1. Size:91K  ape
 ap11n50i-hf.pdf pdf_icon

AP11N50I

AP11N50I-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.68 Fast Switching Characteristic ID 11A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedize

Другие IGBT... AP10N70I-A-HF, AP10N70P, AP10N70P-A, AP10N70R-A, AP10N70S, AP10N70W, AP10P10GH-HF, AP10P10GJ-HF, 50N06, 2SK3285, 2SK3287, 2SK3288, 2SK3289, 2SK3290, 2SK3304, 2SK3307, 2SK3310