Справочник MOSFET. AP11N50I

 

AP11N50I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP11N50I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AP11N50I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP11N50I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  ape
 ap11n50i.pdf pdf_icon

AP11N50I

AP11N50IRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.62 Fast Switching Characteristic ID 11AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design, lowGon-resistan

 0.1. Size:91K  ape
 ap11n50i-hf.pdf pdf_icon

AP11N50I

AP11N50I-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.68 Fast Switching Characteristic ID 11AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerwith the best combination of fast switching, ruggedize

Другие MOSFET... AP10N70I-A-HF , AP10N70P , AP10N70P-A , AP10N70R-A , AP10N70S , AP10N70W , AP10P10GH-HF , AP10P10GJ-HF , 50N06 , 2SK3285 , 2SK3287 , 2SK3288 , 2SK3289 , 2SK3290 , 2SK3304 , 2SK3307 , 2SK3310 .

History: FDS9933A | 2SK3255 | 2N6791LCC4

 

 
Back to Top

 


 
.